8月8日上午10:18，南京氮矽科技有限公司在江北新区研创园数智溪谷科创广场正式启航。作为长三角第三代半导体产业布局的关键落子，企业斥资建设的国家级集成电路可靠性实验室同日亮相。江北新区领导、行业专家、产业伙伴及投资人齐聚现场，共同见证中国第三代半导体自主化进程的里程碑时刻。
出席活动的领导和嘉宾包括：江北新区研创园党工委书记、管办主任吴恒；电子科技大学教授明鑫；东南大学首席教授、江苏省集成电路学会理事长时龙兴；中国科学技术大学国家微电子学院副院长杨树；扬子江基金公司副总经理陈晨；兰璞资本创始合伙人黄节；南京国家集成电路芯火平台总经理李辉；振华集团永光电子副总经理王智；英诺赛科市场销售总监蔡定辉；南京精于勤检测总经理苏明睿；南京惠华电子综合管理部部长赵海；以及埃米仪器、美辰微、南京银行等企业代表。 活动现场，江北新区研创园党工委书记、管办主任吴恒与氮矽科技创始人兼CEO罗鹏博士共同为'南京氮矽科技有限公司'揭牌，标志着企业正式入驻江北新区研创园。
随后举行的签约仪式上，氮矽科技首席运营官刘家才与南京国家集成电路芯火平台总经理李辉共同签署合作协议，双方将携手打造国家级集成电路可靠性公共测试平台，为全国范围内的集成电路企业提供全方位的专业测试服务。
南京氮矽科技可靠性实验室配备了国际领先的环境模拟和应力测试设备，包括快速温变冲击（TS），间歇性寿命（IOL）测试系统，高温偏置（HTRB&HTGB）测试系统，低温栅偏（LTGB）测试系统，高温高湿反偏（H3TRB）测试系统，高加速应力（HAST）测试系统等，满足AECQ-101、MIL-STD750、GJB128B、JEDEC等测试标准。实验室采用智能化数据采集系统实时监控测试参数与芯片性能退化，确保测试结果的高重复性以及符合国际国内标准要求。
江北新区研创园党工委书记、管办主任吴恒在致辞中表示：“氮矽科技的入驻将进一步强化新区第三代半导体产业链条，为'芯片之城'建设注入新动能。新区将持续优化区域环境，支持企业创新发展。”
江苏省集成电路学会理事长时龙兴教授指出：“我国氮化镓产业必须立足高温高压高频核心场景，突破技术壁垒，构建自主供应链生态，才能实现功率半导体自主突破。”
电子科技大学明鑫教授分享了产学研合作成果：“自2019年共建联合研发中心以来，双方已成功开发数十款氮化镓器件及驱动IC，实现100%科技成果转化与产品深度市场化。”
兰璞资本黄节博士从投资角度分析：“氮化镓技术在消费电子、数据中心、新能源汽车、工业能源四大千亿级赛道迎来爆发临界点，南京氮矽科技抢占产业制高点正当其时。”
振华集团永光电子副总经理王智表示：“氮矽科技的军用/工业级GaN器件已实现关键技术突破，我们将深化合作，共同构建国产GaN生态体系。”
氮矽科技创始人兼CEO罗鹏博士总结道：“作为国内首家同时布局氮化镓器件及驱动IC研发的企业，我们已构建100%国产车规级供应链。未来将依托江北新区优势，重点发展数据中心、光伏新能源、汽车电子三大领域，助力'双碳'目标实现。”
此次入驻标志着南京氮矽科技开启发展新篇章，企业将充分发挥技术优势，为推动我国第三代半导体产业发展贡献力量。
如您对我们的产品感兴趣，欢迎联系咨询电话：135 1009 9916（微信同号）
想了解更多关于碳化硅功率器件产品知识 请查看碳化硅课堂
