中国上海，2025年8月28日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布，推出三款650V碳化硅(SiC)MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。这三款产品配备其最新[1]第3代SiC MOSFET芯片，并采用表面贴装TOLL封装，适用于开关电源、光伏发电机功率调节器等工业设备。三款器件于今日开始支持批量出货。
三款新产品是东芝第3代SiC MOSFET，采用通用表面贴装TOLL封装，与TO-247和TO-247-4L(X)等通孔封装相比，可将器件体积锐减80%以上，并提升设备功率密度。
此外，TOLL封装还具有比通孔封装更小的寄生阻抗[2]，从而降低开关损耗。作为一款4引脚[3]封装，支持对其栅极驱动的信号源端子进行开尔文连接。这减少封装内部源极线电感的影响，实现高速开关性能;在TW048U65C的外壳中，与东芝现有产品[5]相比，其开通损耗降低约55%，关断损耗降低约25%[4]，有助于降低设备功耗。
未来东芝将继续扩大其SiC功率器件产品线，为提高设备效率和增加功率容量做出贡献。
第3代SiC MOSFET封装产品线
测量条件：VDD=400V、VGS=18V/0V、ID=20A、Ta=25°C、L=100μH、Rg(外部栅极电阻)=4.7Ω
续流二极管采用各产品源极及漏极间的二极管。(东芝截至2025年8月的比较)
图1：TO-247与TOLL封装的导通损耗(Eon)和关断损耗(Eoff)比较
Ø 应用：
- 服务器、数据中心、通信设备等中的开关电源
- 电动汽车充电站
- 光伏逆变器
- 不间断电源
Ø 特性：
- 表面贴装TOLL封装，实现设备小型化和自动化组装，低开关损耗
- 东芝第3代SiC MOSFET
· 通过优化漂移电阻与沟道电阻比，实现漏源导通电阻的良好温度依赖性
· 低漏源导通电阻×栅漏电荷
· 低二极管正向电压：VDSF=–1.35V(典型值)(VGS=–5V)
Ø 主要规格：
注：
[1] 截至2025年8月。
[2] 电阻、电感等。
[3] 一种信号源终端靠近FET芯片连接的产品。
[4] 截至2025年8月，东芝测量的值。请参考图1。
[5] 采用TO-247封装且无开尔文连接的、具有同等电压和导通电阻的第3代650V SiC MOSFET
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