近日，印度政府宣布批准了印度半导体计划（ISM）下的四个新半导体项目，将 ISM 项目总数从六个增加到十个。这四个项目总投资约 460 亿印度卢比。值得注意的是，其中之一是印度首个商业化合物半导体晶圆厂。
该晶圆厂位于奥里萨邦首府布瓦尼萨尔尔的“信息谷”，由印度的 SiCSem 与英国 Clas-SiC 合作建设。该工厂将专注于碳化硅（SiC）晶圆和器件的生产，年产能为 60,000 晶圆和 96,000,000 器件。其产品将应用于电动汽车、国防设备、铁路、快速充电站和光伏逆变器。
此外，这次还批准了先进的封装和玻璃基板设施，这些设施也位于奥里萨的 3D 玻璃解决方案工厂，投资额为 194.3 亿卢比。该项目将引入世界领先的 3D 异构集成（3DHI）技术和玻璃中介层工艺。计划年产能包括 69,600 块玻璃基板、13,200 个 3DHI 模块和 5000 万个组装单元，服务于国防、人工智能、射频通信和光子集成等高端领域。
随着这一批准，ISM 框架下的项目总数增加到 10 个，累计投资超过 1.6 万亿卢比（约合 192 亿美元），涵盖半导体制造、封装和测试以及化合物半导体。印度政府通过生产关联激励（PLI）计划提供资金支持，旨在吸引国际技术合作伙伴并培育国内供应链。
在宽禁带半导体领域，印度目前对其芯片的进口依赖度为 90%。这些新批准的项目，专注于碳化硅和先进封装，旨在减少对海外来源的依赖并增强供应链的韧性。印度首个碳化硅晶圆厂的建设也预计将加速该国在宽禁带半导体制造领域的步伐，提升其在人工智能和 5G 通信等新兴市场中的竞争力。
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