近日，美国BroadPak Corporation总裁兼首席执行官Farhang访问芯德半导体，专程为其颁发 “高端光电DSP芯片超高密度先进封装”杰出奖项，以表彰芯德半导体在2.5D先进封测领域对该公司核心研发项目的全力支持。
图1 芯德半导体获美国BroadPak杰出奖项证书
美国BroadPak一行为芯德半导体颁奖 8月5日，总部位于美国加利福尼亚州圣何塞的BroadPak（全球2.5D/3D异构芯粒集成与共封装光学领域封装设计服务企业）一行到访芯德半导体，专程为芯德半导体颁发奖项，此次颁奖源于双方合作的高端光电2.5D封装项目。该项目面临三大技术难点：需要采用RDL Interposer代替传统基板满足产品严苛的内生电阻及界面接触电阻要求；需在晶圆表面密集贴装电容器件以适配直流阻断等电路；DSP芯片36μm触点间距需匹配7P7M复杂互联方案。 图2 美国BroadPak总裁兼首席执行官Farhang和芯德半导体总经理潘明东合影(从左至右) 芯德半导体研发团队通过技术创新逐一攻克：采用中介层替代基板，实现7P7M interposer设计与5μm/5μm超窄线宽线间距RDL工艺；突破18μm凸点尺寸、36μm凸点间距的微凸块加工技术；达成单片晶圆超40000个元器件的晶圆级表面贴装；采用±3μm精度的热压焊工艺，成功实现国际头部FAB超先进晶圆制程芯片封装，最终顺利通过终端客户测试验证。 双方负责人表态 BroadPak Corporation总裁Farhang，芯德半导体总经理潘明东、副总经理刘怡、研发副总张中及核心技术团队成员共同出席本次颁奖仪式。活动现场，双方负责人就芯德半导体在2.5D先进封装技术领域的突破性成果分别表态，并达成共识——未来将围绕光电合封及高性能芯片封装技术展开深度合作，携手推动行业技术创新。 BroadPak Corporation总裁Farhang： “该2.5D项目初期技术立项时，因产品设计需应用全新技术，我们曾联络全球多家知名先进封装厂商，均未获得解决方案，而芯德半导体是唯一接下该项目的企业，并成功在终端客户测试中实现芯片点亮与验证，凭借技术突破攻克了项目面临的多重挑战，成为推动这一高端封装项目落地的关键力量。” 芯德半导体总经理潘明东： “在光通信行业高速发展的当下，高集成度、高性能的芯片封装技术已成为驱动行业进步的核心动力。芯德半导体研发团队凭借高密度中介层与晶圆级封装工艺，成功实现了产品性能与成本的突破性优化。特别感谢客户的信任与支持，公司未来将持续深耕技术创新，在高端封装领域不断突破，为行业发展贡献更多力量。” 芯德半导体研发副总张中： “该产品历经一年研发，全球首创在有限空间内通过晶圆级方式封装88颗电容与逻辑芯片，有效提升光通信系统性能、削减延迟并降低功耗，标志着芯德半导体在2.5/3D晶圆级封装领域再获重大突破，彰显其在高端封装技术领域的卓越研发实力与创新活力；芯德半导体研发团队会继续深入推进CAPiC技术平台的建设，为客户带来全方面的先进封装解决方案；同时特别感谢ASM-SMT 软件和硬件技术团队，协助芯德半导体在全球范围内首次完成了这种高端芯片的封装，实现了技术突破。”
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