近日，港股上市公司英诺赛科发布公告，正式回应与英伟达合作的相关传闻。公告称，公司已于近日与全球AI技术领导者NVIDIA(英伟达)达成合作，联合推动800VDC(800伏直流)电源架构在AI 数据中心的规模化落地。该架构是英伟达针对未来高效供电兆瓦级计算基础设施而专门设计的新一代电源系统，相比传统54V电源，在系统效率、热损耗和可靠性方面具有显著优势，可支持AI算力100-1000倍的提升。
公告还显示，公司的第三代GaN器件具备出色的高频、高效率与高功率密度等特性，为英伟达800 VDC架构提供从800V输入到GPU终端，覆盖15V到1200V的全链路氮化镓电源解决方案。随着GaN技术与英伟达800VDC供电架构的融合，未来几年，AI数据中心将实现从千瓦级到兆瓦级的飞跃，开启更高效、更可靠、更环保的AI计算时代。
英诺赛科位于苏州吴江区，是我国第三代半导体龙头企业，于2024年12月30日正式在港交所上市，被称为“氮化镓第一股”。
值得一提的是，7月29日，公司还与全球领先的汽车电子系统供应商联合汽车电子有限公司成立联合实验室，通过利用氮化镓器件在高功率密度、低导通电阻、高转换效率和更小的产品尺寸等方面的优势，合作开发先进的新能源汽车电力电子系统。作为一家综合性汽车一级供应商，联合电子由罗伯特·博世与中联汽车电子有限公司(隶属于上汽集团)合资成立。自1995年成立以来，联合电子已在中国汽车发动机控制单元和动力总成系统市场占据了相当大的份额。
英诺赛科表示，以联合实验室的方式加强双方合作，能够充分利用公司在GaN领域的优势，通过结合联合电子的专业系统知识，将为市场带来更小体积、更轻量的电动汽车电源和动力系统，构建新能源汽车电力电子系统的未来。
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