近期，英伟达官网更新了800V直流电源架构合作商名录，英诺赛科成为本次入选英伟达合作伙伴中唯一的中国芯片企业。双方将携手推动800V直流（800 VDC）电源架构在AI数据中心的规模化应用，单机房算力密度将提升10倍以上，助力单机柜功率密度突破300kW。
AI工作负载的指数级增长正在推高数据中心的电力需求。而传统54V低压架构在单机柜功率超200kW时遭遇物理极限，传统供电架构已难以负荷高密度算力集群的庞大能源需求，效率瓶颈与能耗压力成为阻碍AI产业迈向新高度的核心制约因素。
英伟达正在引领数据中心向800 VDC电源基础设施的转型，以支持从2027年开始的1MW及更高功率的IT机架。为了加速该技术的普及，英伟达正在与数据中心电气生态系统中的关键行业合作伙伴携手合作，其中包括英诺赛科。该计划将推动创新，旨在为下一代AI工作负载建立高效、可扩展的电力输送，以确保更高的可靠性并降低基础设施的复杂性。
英伟达主导的800 VDC架构通过两大变革破解困局：电网直连高压化，可将13.8kV交流电直接转换为800V直流，减少AC/DC转换环节，端到端能效提升5%；材料与空间优化，使得电压提升使铜缆用量减少45%，机房占地面积缩减40%，单机柜功率密度支持600kW以上。
当前AI训练集群单GPU功耗突破10kW，英伟达Rubin Ultra等下一代平台更将机柜总功率推至600kW以上。传统硅基器件因开关频率低、耐压能力弱，难以支撑高功率密度下的高效电能转换。作为第三代半导体核心材料，氮化镓（GaN）凭借独特性能成为800V架构的理想载体。对于追求极致能效与紧凑设计的新一代AI供电系统而言，氮化镓成为突破传统供电方案技术瓶颈的最佳材料方案。
通过本次合作，英诺赛科为英伟达Kyber机架系统提供全链路氮化镓电源解决方案，其技术路径已获微软、谷歌等科技巨头跟进。英诺赛科的IDM模式与工程化能力，正加速800V高压直流技术发展。
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