导言: 第三代宽禁带半导体GaN和SiC技术依靠其 高频，高效与高温稳定性 等核心优势，将会成为新能源汽车，数字电源(光伏，AI服务器)，5G等领域的核心电力电子器件， 硅基GaN是第三代宽禁带半导体中性价比最高的实用化方案 ，掌握这种器件的可靠性与失效机理，对于后续系统级别应用及器件设计会有很大帮助。今天分享一篇电子科技大学周琦教授的《硅基GaN功率器件可靠性与失效机理》，由于GaN器件经常应用在高功率密度电源产品中，然而 高功率密度会带来更高结温，因此需要综合考虑“电热耦合应力场” ，根据具体应用场景性能定制优化设计GaN器件； 短路应力通常会给GaN器件带来“电场+热场+机械应力场”三重考验 ，短路时电势降形成发热点，反复应力易致缺陷；阈值电压漂移会增加开关功耗等。
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