一、SiC MOSFET驱动电路设计基本要求
驱动电压：足够的正压，适当的负压，推荐电压负压-3到-4V, 清纯 SiC MOS D2/H2/H推荐正压（15V-18V），D1/H1推荐正压（18V）
驱动电流要足够大，通常要求>5A驱动电流，也可根据Qg计算
选择合适的Rgon，Rgoff电阻，为抑制震荡通常Rgon选择在10R以下， Rgoff为Rgon的2/3左右，必要的时候加GS电容（100pF-2nF以内）,根 据震荡程度和开关速度以及效率要求可适当调整
应用于中大功率系统或低内阻MOS（通常100mR以下）可选择247-4 或263-7封装以便减小回路震荡和降低开关损耗
隔离：CMTI尽可能高（>100KV/us)
保护：必要的过欠压保护，短路保护等
其它：米勒钳位，耐高温，可靠性，成本
PCBLAYOUT设计驱动回路面积要尽量小，减少寄生电感和电容
如何选择SiC MOSFE驱动IC
由于SiC MOSFET的dv/dt通常可达30V/ns~80V/ns,推荐驱动IC的抗干扰性CMTI>=100V/ns，此外为了防止dv/dt通过极间电容耦合到原边产生共模电流，因此要求驱动IC极间电容最好<2pF
SiCMOSFET的开关频率通常很高，因此死区时间要求更短，为此驱动IC的传输匹配延时要尽量小，一般推荐<50ns
驱动电流的大小与开关器件工作速度密切相关，为适应高频快速开通关断需求，一般推荐驱动IC峰值电流不小于5A
为了防止发生误开通，通常推荐采用带有源米勒钳位功能的驱动IC
SiC MOSFET桥臂串扰及门极震荡问题
桥臂串扰是指SiC器件速度很快，高速变化的dv/dt通过米勒电容Cgd耦合到门极产生误动作， 主要从以下几点解决桥臂串扰：
器件方面：尽量提高门极阈值电压Vth，减小Crss/Ciss 比值；
驱动电路方面：减小门极驱动电阻Rg和关断电阻Roff 或者减小门极寄生电感Lg;增加外部栅 源电容CGS；尽量采用带有源米勒钳位脚驱动芯片；
驱动电压方面：清纯的SiC MOSFET 通常推荐-3V/-4V的负压关断以减小误开通风险 ；
增加外部电容CGS会降低器件速度，增大Rg，Roff会降低开关速度，需平衡震荡幅度和效 率，为了充分利用SiC MOSFET的高速性能同时防止误开通，通常推荐在优化器件本身抗 干扰能力的情况下，采用负压关断并配合有源米勒钳位使用；
通过优化驱动回路的Layout以减小寄生电感来减小振荡，一方面可以将驱动侧电源电容， 驱动电阻和驱动IC尽可能的靠近SiCMOSFET以减小回路长度，另一方面可以在驱动线路 PCB下层铺地覆盖驱动线路进一步减小寄生电感。
SiC MOSFET桥臂串扰原理
SiC MOSFET 误开通风险因素
误开通是由高速变化的dv/dt通过米勒电容CGD耦合到门极产生门极电压变化从而导致关 断时Vgs超过阈值电压导致误开通，因此误开通不仅和阈值电压Vth有关，还与dv/dt产生的 电压变化有关。
以Vee=-3V关断为例，门极电压阈值裕度为ΔVgs_th=Vth-Vee, 当dv/dt趋于无穷大时，dv/dt 产生的门极电压变化为：ΔVgs=Vbus*Crss/Ciss. 由此当门极电压阈值裕度ΔVgs_th越大于 dv/dt造成的门极电压变化ΔVgs，器件Vgs安全裕度越大，误开通风险越小。
清纯的MOS 高温特性较好,并且优化了器件寄生电容比值，dv/dt造成的门极电压变化较小， 因此Vgs安全裕度较高，评价器件本身误开通风险要综合考量阈值电压和dv/dt产生的门极 电压变化。
SiC MOSFET电压尖峰问题
电压尖峰主要是由于关断时过大的di/dt在回路寄生 电感上产生压降(Lp1+Lp2)di/dt造成。因此如果增大 门极驱动电阻Rg , di/dt减小，电压尖峰会减小,但是 开关损耗会增加。因此通常是先优化回路寄生电感 来实现。不盲目增加Rg；
如下图由于母线电容寄生电感较大回路较长，因此 通常需要在尽量靠近器件的地方插入寄生电感小的 MLCC/Cer缓冲电容，这样高频电流会流向低阻抗 回路，产生电压尖峰会变成Lp1*di/dt，从而使得电 压尖峰减小。此外，需要利用PCB多层布线和磁场 抵消的原理，优化Layout减小寄生电感。
SiC MOSFET 驱动电压选择
目前市场上SiC MOSFET推荐驱动正压主要有 +20V,+18V,+15V三种规格，大部分客户希望 SiC MOSFT的驱动电压能与15V Si 器件兼容，清纯 的SiC MOSFET 驱动正压分两种版本，一种为+15V （D2/H2)，另一种为+18V（D1/H1)，如右图所示 门极电压越高，Rds(on)越小，如果推荐电压为 +18V工作的SiC器件,如果在+15V下工作Rds(on)会 比标称值大,但如果工作在+15V以下Rds(on)比标称 值大很多，所以一般不推荐+15V以下工作。
负压推荐-3到-4V.
SiC MOSFET 驱动电压选择
一般中大功率多管（2个以上）应用不推荐0V关断，由于SiC MOSFET的阈值电压较低，dv/dt非常大，为了防止误开通，通常推荐采用-3/-4V关断，这样有5.7V/6.7V的阈值裕度， 比SiMOSFET阈值略高，负压的产生如下图给出了两种如何利用单极性电源+18V产生+15V/-3V的方法，仅需TVS管和电容就可以实现负压关断。
SiC MOSFET 驱动电压设计方案1
SiC MOSFET多为+15/-3V与+18/-5V电压驱动。要在Si MOSFET单电源正压驱动电路中中 实现负压电路，可以在驱动回路中增加少量元件产生所需要的负压，如需要+15/-3V的驱 动电压，则单电压需要提供+18V即可，有如下方案可以实现
用+14V左右的稳压管Z1加上Z2管正向导通压降，在开通时候将电压稳定在+15V左右，这 样在开关管导通时电容C10上就会有3V压降；开关管关断时候，驱动芯片内部下管导通加 在GS上的电压为-3V，如下图
SiC MOSFET 驱动电压设计 方案2
用3V的稳压管Z1稳定驱动用的负压，开通的时候电容C10上稳定3V电压，则驱动正压就保 持为15V，关断时候加在GS上电压就是电容C10的电压为-3V，如下图。
SiC MOSFET 驱动电压设计
两种方案均能使用较少的器件实现所需要的驱动 负压，但是器件第一次工作前均为0V，不能在常 关状态下保持稳定负压，容易被干扰误开通。针 对点可以通过增加一个电阻R1上拉，在上电后就 预先给电容C10进行预充电稳压在3V，就可以实现 未工作时保持负压，如右图。在单电源供电的情况下，只需要对电路进行微小 的调整，即可实现SiC MOSFET替代Si MOSFET。
SiC MOSFET 驱动电压设计 方案3
基于单电源驱动芯片的驱动电路方案一。VDD1电源通过电阻R1//R2给电容C8//C9充电，电容两端电压快速上升 到D4反向击穿电压以后，D4的两端电压稳定，负压VDD2随之建立。VDD1对地PGND-HS的电压幅值大小等于正 向驱动电压幅值和关断负压绝对值之和。驱动芯片6脚输出PWM驱动信号。R6为开通电阻，R6//R8为关断电阻。SiC MOSFET的栅极通过驱动芯片内部集成上拉开关管接到芯片电源（VDD1）或者下拉开关管接到芯片地 （PGND-HS）.VDD1辅助电源一旦有输出，负压VDD2瞬间就可以建立。换而言之，负压VDD2可以在PWM驱动信 号使能之前建立，因此，SiC MOSFET的每个开关周期都是负压关断，驱动更可靠。
SiC MOSFET并联注意事项
为了防止器件并联不均流，主要可以从以下三个方面考虑：
1、静态不均流需要保证SiC MOSFET本身的参数一致性，需要筛选 参数（如Vth,Rdson）尽量一致的MOSFET来做直接并联。
2、为了使得寄生参数一致性较好，需要保证每个SiCMOSFET的驱动 回路和主功率回路尽量对称，要求驱动芯片输出到每个SiCMOSFET的栅极距离一样。
3、动态不均流会以环流的形式呈现，因此为了减小不均流，需要减 小环路电流，即增大环流回路阻抗。如右图所示，为了减小驱动 回路造成的环流路径I，需要为每个MOSFET配置单独的电阻Rg1,Rg2, Rs1, Rs2，通常1欧姆左右，以增加回路阻抗，增强动态 均流。功率环流路径II通常通过Layout对称保证，必要的情况也可 以在回路加入反耦合电感以增加环流回路阻抗。
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