碳化硅作为第三代半导体材料的核心代表，正以其耐高压、高频、高效等特性重塑全球功率半导体产业发展格局，吸引各国争相投入研发。中国碳化硅技术研发进展顺利，近期，两项碳化硅技术迎来新突破。
连科半导体 八吋硅区熔炉及碳化硅电阻炉成果鉴定达到国际领先水平
“连城数控”官微消息，近期，中国有色金属工业协会在无锡组织召开科技成果评价会。由中科院技物所褚君浩院士，有研科技集团周旗钢教授以及来自东南大学，南京航空航天大学，浙大科创中心等的五位专家组成的专家组，对由连科半导体有限公司等单位完成的两项科技成果进行了评价。
专家组一致认为，“8 吋 / 12 吋碳化硅电阻炉及工艺成套技术” 项目，联合了浙江大学等单位，在行业首次推出直流双电源加热器、双温区热场结构，加热功率下降35%，降低到28Kw；开发了高精度控制软件，实现了对气体流量、压力的精确控制，满足了8吋/12吋SiC单晶的稳定生长，技术难度大、复杂程度高。在多家碳化硅衬底企业推广应用后，经济、社会效益显著，助力客户生长8吋/12吋碳化硅晶体，厚度达到5cm以上。项目整体技术达到国际领先水平。
source：连城数控
“200mm 区熔硅单晶炉成套技术”项目，独创了下主轴与密封内衬分别由伺服电机驱动并同步耦合控制的技术，及第二相机测量熔化流量的控制新思路，攻克了主轴高精密加工和装配问题。形成了关键技术-样机示范-产业化应用的全链条技术体系。技术难度大、复杂程度高。项目技术已在有研半导体硅材料股份公司成功投产并稳定运行，技术重现性好、成熟度高。项目整体技术达到国际领先水平
“增材制造复杂结构高性能碳化硅基复合材料及其部件”荣获2025年日内瓦国际发明展金奖
“武汉理工大学材料学院”官微消息，近期，第50届日内瓦国际发明展（The 50thInternational Exhibition of Inventions of Geneva）在瑞士日内瓦举行，武汉理工大学材料科学与工程学院副院长刘凯教授携项目“增材制造复杂结构高性能碳化硅陶瓷基复合材料及其部件”参展并荣获金奖。
source：武汉理工大学材料学院
据悉， 上述项目面向极端服役环境对高性能碳化硅陶瓷材料复杂构件的制造需求，开展了材料-结构-性能一体化增材制造研究。建立了高增材适应性碳化硅复合粉末设计制备与激光增材制造工艺方法，研制了纤维增强碳化硅复合材料复杂构件的增材制造技术与装备，推动了增材制造碳化硅陶瓷构件在航空航天、能源化工、半导体装备等领域的工程应用。
项目相关成果已获得多项国家发明专利授权，并在Journal of the European Ceramic Society、Journal of the American Ceramic Society、Composite Structures等期刊上发表系列论文。
结语
在“双碳”目标与智能制造升级的双重需求下，碳化硅正深度赋能新能源汽车、光伏储能、5G通信等领域，推动能源效率革命。上述碳化硅技术突破表明我国在半导体材料自主可控方面不断努力并取得了新成就，随着技术迭代与产业链协同发展，未来中国以碳化硅为代表的第三代半导体有望迈上新台阶。
