近期，我国三家企业在12英寸SiC技术领域取得了显著进展，其中山东力冠微电子装备有限公司（以下简称“山东力冠”）在设备端取得关键进展，而浙江晶瑞电子材料有限公司（以下简称“浙江晶瑞SuperSiC”）与广州南砂晶圆半导体技术有限公司（以下简称“南砂晶圆”）则在材料端实现重大突破，三家企业齐发力，为我国半导体产业的自主可控发展注入强大动力。
浙江晶瑞：成功研发12英寸导电型SiC晶体
5月12日，晶盛机电子公司浙江晶瑞SuperSiC宣布，成功实现12英寸导电型碳化硅（SiC）单晶生长，首颗晶体直径达309mm且质量完好。
source：浙江晶瑞SuperSiC图为首颗12英寸导电型碳化硅（SiC）单晶
浙江晶瑞SuperSiC基于自主研发的SiC单晶生长炉以及持续迭代升级的8-12英寸长晶工艺，经过多年的技术攻关，创新晶体生长温场设计及气相原料分布工艺，成功攻克12英寸SiC晶体生长中的温场不均、晶体开裂等核心难题。此次突破不仅实现了6-12英寸全尺寸长晶技术自主可控，更将大幅降低芯片成本，加速SiC产业链完善，推动国产SiC材料在多领域规模化应用，助力我国半导体产业迈向全球价值链高端。
南砂晶圆：发布12英寸导电型SiC衬底
5月8日，南砂晶圆在参加行业大会时，在现场展示了12英寸导电型SiC衬底等重点产品，成功实现大尺寸碳化硅衬底的突破。南砂晶圆自成立以来，一直致力于碳化硅单晶材料的研发和生产，拥有广州、中山、济南三大生产基地，形成了完整的碳化硅单晶生长和衬底制备生产线，产品还包括6英寸和8英寸的导电型和半绝缘型碳化硅衬底。
目前，南砂晶圆还成功实现了近“零螺位错”密度和低基平面位错密度的8英寸导电型4H-SiC单晶衬底制备。这一技术进步不仅提升了产品的可靠性和性能，也为国产8英寸导电型衬底的产业化进程奠定了坚实基础。
山东力冠微电子装备：加速攻关12英寸液相法SiC长晶设备
近日，山东力冠在12英寸SiC长晶炉领域取得了重要突破。公司公开表示，已攻克12英寸PVT电阻加热长晶炉的研发难关，并于近期完成首批两台设备的交付。同时，该公司正加速攻关12英寸液相法SiC长晶设备。随着12英寸电阻法长晶系统的商业化突破，山东力冠计划在2025年实现12英寸设备的批量供货，助力国产碳化硅材料进入全球供应链第一梯队。
山东力冠自主研发的8英寸PVT碳化硅长晶炉已实现批量销售，涵盖感应及电阻加热，适用于导电型与半绝缘型SiC晶体生长。该设备创新热场设计，显著提升温度均匀性与稳定性（>30%），提高晶体良率与一致性，达国际主流水平。自动化控制系统降低人工干预和生产成本，已获国内外头部客户采用。
公开资料显示，山东力冠的产品涵盖第一代至第四代半导体材料工艺设备，均拥有自主知识产权，完全自主可控，广泛应用于集成电路、功率半导体、化合物半导体、5G芯片、光通信、MEMS等新型电子器件制造领域。
