碳化硅MOS芯片具有优异的高频特性，在高频应用中，传统的TO-247-3封装会制约其高频特性。应市场需求及为进一步提升碳化硅MOS性能，特开发出四引脚TO-247封装(TO-247-4L)碳化硅MOS产品。
1.TO-247四引脚封装和三引脚封装差异
四引脚封装TO-247-4与三引脚封装TO-247-3相比较，外形上明显多了一引脚，增加的引脚为驱动器源极引脚。脚位排列由TO-247三引脚封装的G-D-S变为D-S(P)-S(D)-G,其中第二引脚S(P)接负载端，三引脚S(D)接驱动端。
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对于传统三引脚TO-247封装。其反电动势VLS(=LS*dID/dt)由源极电源线的 电感分量L和漏极电流斜率dI dID/dt产生，电压VGS的是施加在芯片的栅极和源极漏极。这个反电动势将实际施加的电压从设定的栅极电压降低，且开关速度特别是开通速度将会减慢。
通过增加用于栅极驱动的信号源端子，可以分离电源线中的电流和栅极驱动线中的电流，以减小栅源电压电感的影响。四引脚的封装的TO-247-4L将驱动侧的源端直接连接在芯片的位置，与负载侧的源线分离，这样使其不易受到驱动电压的影响。从而提高了碳化硅MOS的高速开关性能。
2.四引脚封装(TO-247-4L)优势
四引脚封装的TO-247-4L碳化硅MOS,可充分发挥出碳化硅MOS本身的高速开关性能。与传统三引脚封装TO-247相比,开关损耗可降低约30-35%,能进一步降低 电路的损耗。
导通损耗：与没有驱动器源极引脚的TO-247封装产品(浅蓝色虚线)相比，有驱动器源极引脚的TO-247-4L封装产品(红色虚线)导通时的ID上升速度更快。通过比较，可以看出TO-247封装产品(浅蓝色线)的开关损耗为2700J，而TO-247-4L封装产品(红色线)为1700J，开关损耗减少约35%，减幅显著。
关断损耗：关断时的波形可以看出，TO-247封装产品(浅蓝色实线)的开关损耗为2100J，TO-247-4L封装产品(红色实线)为1450J，开关损耗降低约30%。
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