1月15日，由国宏中宇科技发展有限公司控股，山东国宏中能科技发展有限公司投资建设的年产11万片碳化硅衬底片项目在山东河口经济开发区建成并启动试生产。
记者进入生产车间，映入眼帘的是排列整齐的晶体生长与衬底片加工设备，车间内生产环境洁净整洁、水、电、风、气等工艺管道排列整齐。走近设备，看到的是设备自动控制屏上，各种变换的工艺参数，技术人员在有条不紊的进行着设备操作。
据了解，山东国宏中能年产11万片碳化硅衬底片项目总投资6.5亿元，总建筑面积3万平方米。该项目于2020年2月入选山东省新旧动能转换重大项目库第一批优选项目名单，是市、区两级重点项目。通过在材料制备技术体系、核心装备研制上的持续科研投入，同时紧密结合研发成果的产业化生产转化，目前本项目已经具备投产条件。本项目整体两期规划建设完毕并全部投产后，预计平均年营业收入约7亿元，企业年纳税总额约5000万元，新增中高端就业岗位超过200个。
山东国宏中能科技发展有限公司年产11万片碳化硅衬底片项目于2019年9月底开工建设，2020年面对突如其来的新冠疫情影响，在市区委、政府和相关部门的大力支持帮助下，项目建设团队积极采取有效措施克服施工人员返岗及材料供应困难，保安全、保质量，抢进度，全力以赴推进项目建设，既赶回了项目建设进度，又有力地落实了各项新冠疫情防控工作。项目于2020年5月完成一期厂房主体结构施工；8月份开始进行厂务配套系统施工；10月份主要工艺设备到位开始安装，2020年底完成第一批工艺设备安装、调试；目前项目已经具备投产能力并顺利启动试生产。
山东国宏中能科技发展有限公司目前主要生产4英寸、6英寸4-H N型导电碳化硅衬底片和4-H半绝缘碳化硅衬底片。在工艺技术上依托中科钢研、国宏中宇“第三代半导体材料制备关建共性技术北京市工程实验室”的强大科研能力，已形成了具有自主知识产权的关键核心技术体系，产品技术指标达国内一流水平。所生产的碳化硅衬底片产品可广泛应用于以新能源汽车、高速轨道交通、超高压智能电网为代表的功率电子应用领域和以5G通信、航空航天通信、军工相控阵雷达等为代表的高频射频应用领域。
“国宏中能年产11万片碳化硅衬底片项目投产后不仅可以满足我国第三代半导体下游企业对于核心关键材料的需求，更能有效地解决我国在大规格、高品质碳化硅半导体衬底片领域所面临的‘卡脖子’难题，保障我国第三代半导体下游产业的持续、稳定、健康发展。在打开国内市场的同时，公司还将积极参与国际市场竞争，在国际第三代半导体材料行业中打响‘东营智造’、‘中国智造’品牌！国宏中宇、山东国宏中能将持续向着成为国际一流，国内领先的现代化高科技第三代半导体材料生产企业的目标奋力前行。”国宏中宇科技发展有限公司、山东国宏中能科技发展有限公司总经理赵然充满信心地说。
近日，总投资10亿的中科钢研集成电路产业园项目有了新进展 ，据报道称，项目一期工程已完工，二期生产车间和机修车 间钢结构正在吊装，预计6月份主体竣工。项目落地于莱西经济开发区，这里将会建成中科钢研的国家级先进晶体研究院，专注碳化硅晶体材料的研发生产。 项目占地约80亩，建筑面积5万平方米，主要生产高品质4-6英寸碳化硅晶体衬底片。达产后，预计可实现年产5万片4-6英寸碳化硅导电型与半绝缘型单晶衬底片。 中科钢研表示，项目建成后，能使我国摆脱大规格、高品质碳化硅晶体衬底片依赖进口的局面，产品国产化后，成本将大幅降低，能在通信、高铁、新能源汽车等方面被广泛应用，将引领碳化硅半导体材料及下游行业出现爆发式发展。
碳化硅是现今最受关注的第三代半导体材料之一，其在高温、高压、高频等条件下性能优异。碳化硅等第三代半导体，在半导体照明光电器件、电力电子、射频微波器件、激光器和探测器件、太阳能电池和生物传感器等其他器件等方面展现出了巨大的潜力。而在军用方面，SiC主要用于大功率高频功率器件。
中科钢研节能科技有限公司拥有先进的升华法碳化硅长晶炉和4英寸高温化学气相沉积法碳化硅生长技术，其技术和工艺填补了国内空白，并具备了产业化应用条件。
近日，总投资10亿的中科钢研集成电路产业园项目有了新进展 ，据报道称，项目一期工程已完工，二期生产车间和机修车 间钢结构正在吊装，预计6月份主体竣工。项目落地于莱西经济开发区，这里将会建成中科钢研的国家级先进晶体研究院，专注碳化硅晶体材料的研发生产。 项目占地约80亩，建筑面积5万平方米，主要生产高品质4-6英寸碳化硅晶体衬底片。达产后，预计可实现年产5万片4-6英寸碳化硅导电型与半绝缘型单晶衬底片。 中科钢研表示，项目建成后，能使我国摆脱大规格、高品质碳化硅晶体衬底片依赖进口的局面，产品国产化后，成本将大幅降低，能在通信、高铁、新能源汽车等方面被广泛应用，将引领碳化硅半导体材料及下游行业出现爆发式发展。
碳化硅是现今最受关注的第三代半导体材料之一，其在高温、高压、高频等条件下性能优异。碳化硅等第三代半导体，在半导体照明光电器件、电力电子、射频微波器件、激光器和探测器件、太阳能电池和生物传感器等其他器件等方面展现出了巨大的潜力。而在军用方面，SiC主要用于大功率高频功率器件。
中科钢研节能科技有限公司拥有先进的升华法碳化硅长晶炉和4英寸高温化学气相沉积法碳化硅生长技术，其技术和工艺填补了国内空白，并具备了产业化应用条件。
