什么是碳化硅 (SiC)？
碳化硅 (SiC) 的存在年限比我们的太阳系更古老，最早发现于 46 亿年前的陨石中。但是直到现在，SiC 的工业化程度才让其能够在功率半导体生产中的商业和技术方面与硅相竞争。
碳化硅与硅 (Si) 和碳 (C) 结合具有独特的电气特性，能够为多种应用打造高性能半导体。
什么是碳化硅 (SiC) 功率模块？
碳化硅功率模块是使用碳化硅半导体作为开关的功率模块。
碳化硅功率模块用于转换电能，转换效率高 — 功率是指电流和电压的乘积。
为什么在特定应用中首选碳化硅 (SiC) 功率模块。
碳化硅半导体带隙宽，用于 MOSFET 中时，开关损耗极低，因此相较于普通的硅器件，可允许更高的开关频率。同时，与传统的硅半导体相比，碳化硅半导体能够在更高的温度和更高的电压下工作。
SiC 功率半导体具有关键的效率特性，能够降低成本，同时提高多种应用中的系统性能，如电动汽车充电器、太阳能逆变器、电动汽车电机驱动器等，预计其使用将呈指数级增长。
对比如今的硅 (Si) 器件，碳化硅 (SiC) 功率模块的优势
与基于 IGBT 的电源模块相比，SiC 具有以下几个优势：
- 开关速度更快即意味着开关损耗更低，对无源元件的需求更少，从而减少了系统面积
- 适用于高开关频率的应用
- 高阻断电压
- 结温更高
- 高电流密度意味着更高的密实度和更高的功率密度
